A full-wave rectifier circuit along with the input and output voltages is shown in the figure.

The contribution to the output voltage from diode – 2 is :

(a) A, C                       (b) B, D
(c) B, C                       (d) A, D

पूर्ण-तरंग दिष्टकारी परिपथ के अनुदिश निवेशी और निर्गत वोल्टेज को आरेख में दर्शाया गया है।

– 2 डायोड से निर्गत वोल्टेज के लिए अंश की गणना कीजिए:

(a) A, C                       (b) B, D
(c) B, C                       (d) A, D

A silicon speciman is made into a P-type semi-conductor by dopping, on an average, one Indium atom per $5\times {10}^7$ silicon atoms. If the number density of atoms in the silicon specimen is $5\times {10}^{28} \mathrm{atoms}/{\mathrm{m}}^3$ then the number of acceptor atoms in silicon per cubic centimetre will be

(a) $2.5\times {10}^{30} \mathrm{atoms}/{\mathrm{cm}}^3$                   (b) $1.0\times {10}^{13} \mathrm{atoms}/{\mathrm{cm}}^3$
(c) $1.0\times {10}^{15} \mathrm{atoms}/{\mathrm{cm}}^3$                   (d) $2.5\times {10}^{36} \mathrm{atoms}/{\mathrm{cm}}^3$

एक सिलिकॉन प्रतिदर्श, P-प्रकार के अर्ध-चालक में $5\times {10}^7$ प्रति सिलिकॉन परमाणुओं में औसतन एक इंडियम परमाणु को अपमिश्रित करके बनाया जाता है। यदि सिलिकॉन नमूने में परमाणुओं का संख्या घनत्व $5\times {10}^{28}\text{ परमाणु }/{\mathrm{m}}^3$ है तो सिलिकॉन प्रति घन सेंटीमीटर में ग्राही परमाणुओं की संख्या होगी:

(a) $2.5\times {10}^{30}\text{ परमाणु }/{\mathrm{cm}}^3$       (b) $1.0\times {10}^{13}\text{ परमाणु }/{\mathrm{cm}}^3$
(c) $1.0\times {10}^{15} \text{परमाणु}/{\mathrm{cm}}^3$       (d) $2.5\times {10}^{36} \text{परमाणु/}{\mathrm{cm}}^3$

Ge and Si diodes conduct at 0.3 V and 0.7 V respectively. In the following figure if Ge diode connection are reversed, the valve of ${\mathrm{V}}_0$ changes by 

(a) 0.2 V                    (b) 0.4 V
(c) 0.6 V                    (d) 0.8 V

Ge और Si डायोड क्रमशः 0.3 V और 0.7 V पर चालन करते हैं। निम्न आरेख में यदि Ge डायोड संयोजन उत्क्रमित किया जाता है, ${\mathrm{V}}_0$ का मान किसके द्वारा परिवर्तित होता है?

(a) 0.2 V                    (b) 0.4 V
(c) 0.6 V                     (d) 0.8 V

In the given figure, a diode D is connected to an external resistance R=100$\Omega$ and an e.m.f. of 3.5 V. If the barrier potential developed across the diode is 0.5 V, the current in the circuit will be:

1. 30 mA

2. 40 mA

3. 20 mA

4. 35 mA

दी गई आकृति में, एक डायोड D बाह्य प्रतिरोध R = 100$\Omega$ और 3.5 V के एक विद्युत वाहक बल स्त्रोत से जुड़ा है। यदि डायोड पर उत्पन्न विभव प्राचीर 0.5 V है, तो परिपथ में धारा होगी:

1. 30 mA

2. 40 mA

3. 20 mA

4. 35 mA

The transistors provide good power amplification when they are used in 

(a) Common collector configuration

(b) Common emitter configuration

(c) Common base configuration

(d) None of these

किस प्रकार से उपयोग किए जाने पर ट्रांजिस्टर अच्छा शक्ति प्रवर्धन प्रदान करते हैं?

(a) उभयनिष्ठ संग्राहक विन्यास

(b) उभयनिष्ठ उत्सर्जक विन्यास

(c) उभयनिष्ठ आधार विन्यास

(d) इनमें से कोई नहीं

Which is the wrong statement in following sentences?

A device in which P and N-type semiconductors are used is more useful then a vacuum type because 

(a) Power is not necessary to heat the filament

(b) It is more stable

(c) Very less heat is produced in it

(d) Its efficiency is high due to a high voltage across the junction

निम्नलिखित वाक्यों में कौन सा गलत कथन है?

एक उपकरण जिसमें P और N-प्रकार अर्धचालकों का उपयोग किया जाता है वह निर्वात प्रकार की तुलना में अधिक उपयोगी है क्योंकि:

(a) तंतु को गर्म करने के लिए शक्ति आवश्यक नहीं है

(b) यह अधिक स्थायी है

(c) इसमें बहुत कम ऊष्मा उत्पन्न होती है

(d) संधि पर उच्च वोल्टेज के कारण इसकी दक्षता अधिक है

The combination of ‘NAND’ gates shown here under (figure) are equivalent to

1. An OR gate and an AND gate respectively
2. An AND gate and a NOT gate respectively
3. An AND gate and an OR gate respectively
4. An OR gate and a NOT gate respectively.

यहाँ निम्नवत (आरेख) दर्शाए गए ‘NAND’ गेटों का संयोजन किसके समतुल्य है?

1. क्रमशः OR गेट और AND गेट
2. क्रमशः AND गेट और NOT गेट 
3. क्रमशः AND गेट और OR गेट
4. क्रमशः OR गेट और NOT गेट

A transistor is operated in common-emitter configuration at $V_c=2volt$ such that a change in the base current from 100 $\mu A$ to 200 $\mu A$ produces a change in the collector current from 5 mA to 10 mA. The current gain is 

1. 75                                2. 100

3. 150                              4. 50

एक ट्रांजिस्टर $V_c=2volt$ पर सामान्य-उत्सर्जक विन्यास में इस प्रकार संचालित होता है कि आधार धारा में 100 $\mu \mathrm{A\; से}$ 200 $\mu A$का परिवर्तन संग्राहक धारा में 5 mA से 10 mA तक परिवर्तन उत्पन्न करता है। धारा लाभ है:

1. 75                                 2. 100

3. 150                               4. 50

Which one of the following statement is false?

(a) Pure Si doped with trivalent impurities gives a p-type semiconductor 

(b) Majority carries in a n-type semiconductor are holes

(c) Minority carries in a p-type semiconductor are electrons

(d) The resistance of intrinsic semiconductor decreases with increase of temperature 

निम्नलिखित में से कौन सा कथन गलत है?

(a) त्रिसंयोजी अपद्रव्यों के साथ अपमिश्रित शुद्ध सिलिकॉन p-प्रकार का अर्धचालक बनाता है।

(b) n-प्रकार अर्धचालक में बहुसंख्यक वाहक कोटर होते हैं।

(c) p-प्रकार अर्धचालक में अल्पसंख्यक वाहक इलेक्ट्रॉन होते हैं।

(d) आंतरिक अर्धचालक का प्रतिरोध तापमान बढ़ने के साथ घटता जाता है।

An NPN-transistor circuit is arranged as shown in figure. It is
 

(a) A common base amplifier circuit
(b) A common emitter amplifier circuit
(c) A common collector amplifier circuit
(d) Neither of the above

जैसा कि चित्र में दिखाया गया है एक NPN-ट्रांजिस्टर परिपथ व्यवस्थित किया गया है। यह है:
 

(a) एक सामान्य आधार प्रवर्धक परिपथ
(b) एक सामान्य उत्सर्जक प्रवर्धक परिपथ
(c) एक सामान्य संग्राहक प्रवर्धक परिपथ
(d) उपरोक्त में से कोई नहीं