Consider an NPN transistor amplifier in the common-emitter configuration. The current gain of the transistor is 100. If the collector current changes by 1 mA, what will be the change in emitter current?
(a) 1.1 mA                     (b) 1.01 mA
(c) 0.01 mA                    (d) 10 mA

उभयनिष्ठ-उत्सर्जक विन्यास में NPN ट्रांजिस्टर प्रवर्धक पर विचार कीजिए। ट्रांजिस्टर का धारा लाभ 100 है। यदि संग्राहक धारा 1 ma से परिवर्तित होती है, तब उत्सर्जक धारा में कितना परिवर्तन होगा?
(a) 1.1 mA              (b) 1.01 mA
(c) 0.01 mA            (d) 10 mA

Three ideal diodes are connected to the battery as shown in the circuit. The current supplied by the battery is

1.  Zero

2.  4A

3.  2A

4.  6A

तीन आदर्श डायोड बैटरी से जोड़े जाते हैं जैसा कि परिपथ में दर्शाया गया है। बैटरी द्वारा आपूर्ति की जाने वाली धारा है:

1. शून्य

2.  4A

3.  2A

4.  6A

A n-p-n transistor is connected in common emitter configuration in a given amplifier. A load resistance of 800Ω is connected in the collector circuit and the voltage drop across it is 0.8 V. If the current amplification factor is 0.96 and the input resistance of the circuits is 192 Ω the voltage gain and the power gain of the amplifier will respectively be

(a)3.69,3.84 (b)4,4 (c)4,3.69 (d)4,3.84

n-p-n ट्रांजिस्टर को दिए गए प्रवर्धक में उभयनिष्ठ उत्सर्जक विन्यास में जोड़ा गया है। 800Ω के लोड प्रतिरोध को संग्राहक परिपथ में जोड़ा गया है और इसके मध्य विभव पतन 0.8 V है। यदि धारा प्रवर्धक गुणांक 0.96 है और परिपथों का आंतरिक प्रतिरोध 192 Ω है, तब प्रवर्धक के वोल्टेज लाभ और शक्ति लाभ क्रमशः होंगे:

(a) 3.69,3.84

(b) 4,4

(c) 4,3.69

(d) 4,3.84

The combination of gates shown below produces

(a) AND gate
(b) XOR gate
(c) NOR gate
(d) NAND gate

निम्नवत दर्शाए गए गेटों का संयोजन किसका निर्माण करता है?

(a) AND गेट

(b) XOR गेट

(c) NOR गेट

(d) NAND गेट 

A gate has the following truth table 
P 1 1 0 0
Q 1 0 1 0
R 1 0 0 0

The gate is

(1) NOR

(2) OR

(3) NAND

(4) AND

एक गेट की निम्नलिखित सत्यता सारणी है:

P 1 1 0 0
Q 1 0 1 0
R 1 0 0 0

गेट है:

(1) NOR

(2) OR

(3) NAND

(4) AND

Wires P and Q have the same resistance at ordinary (room) temperature. When heated, resistance of P increases and that of Q decreases. We conclude that

1. P and Q are conductors of different materials

2. P is N-type semiconductor and Q is P-type semiconductor

3. P is semiconductor and Q is conductor

4. P is conductor and Q is semiconductor

सामान्य (कक्ष) तापमान पर तारों P और Q का प्रतिरोध समान है। गर्म होने पर, P का प्रतिरोध बढ़ता है और जबकि Q का घटता है। हम क्या निष्कर्ष प्राप्त करते हैं?

1. P और Q विभिन्न पदार्थों के चालक हैं। 

2. P, N-प्रकार का अर्धचालक है और Q, P-प्रकार का अर्धचालक है। 

3. P अर्धचालक है और Q चालक है। 

4. P चालक है और Q अर्धचालक है। 

In a common base amplifier circuit, calculate the change in base current if that in the emitter current is 2 mA and $\mathrm{\alpha }$ = 0.98

(a) 0.04 mA                           (b) 1.96 mA
(c) 0.98 mA                           (d) 2 mA

उभयनिष्ठ आधार उत्सर्जक परिपथ में, यदि उत्सर्जक धारा 2 mA है और $\mathrm{\alpha }$ = 0.98 है, तब आधार धारा में परिवर्तन की गणना कीजिए:
(a) 0.04 mA           (b) 1.96 mA
(c) 0.98 mA           (d) 2 mA

In the CB mode of a transistor, when the collector voltage is changed by 0.5 volt. The collector current changes by 0.05 mA. The output resistance will be 
(a) 10 k$\mathrm{\Omega }$                         (b) 20 k$\mathrm{\Omega }$
(c) 5 k$\mathrm{\Omega }$                           (d) 2.5 k$\mathrm{\Omega }$

ट्रांजिस्टर के CB प्रणाली में, जब संग्राहक वोल्टेज को 0.5 वोल्ट द्वारा परिवर्तित किया जाता है, संग्राहक धारा 0.05 mA से परिवर्तित होती है। निर्गत प्रतिरोध कितना होगा?

(a) 10 k$\mathrm{\Omega }$             (b) 20 k$\mathrm{\Omega }$
(c) 5 k$\mathrm{\Omega }$              (d) 2.5 k$\mathrm{\Omega }$

Current in the circuit will be 

(a) $\frac{5}{40}\mathrm{A}$
(b) $\frac{5}{50}\mathrm{A}$
(c) $\frac{5}{10}\mathrm{A}$
(d) $\frac{5}{20}\mathrm{A}$

परिपथ में धारा होगी:

(a) $\frac{5}{40}\mathrm{A}$
(b) $\frac{5}{50}\mathrm{A}$
(c) $\frac{5}{10}\mathrm{A}$
(d) $\frac{5}{20}\mathrm{A}$

Intrinsic semiconductor is electrically neutral. Extrinsic semiconductor having large number of current carriers would be 

(a) Positively charged

(b) Negatively charged

(c) Positively charged or negatively charged depending upon the type of impurity that has been added

(d) Electrically neutral

नैज अर्धचालक विद्युत उदासीन है। अपद्रव्यी अर्धचालक में बड़ी संख्या में धारा वाहक होगे

(a) धनात्मक आवेशित

(b) ऋणात्मक आवेशित

(c) मिलाए गए अपद्रव्य के आधार पर धनात्मक आवेशित या ऋणात्मक आवेशित

(d) विद्युत उदासीन