A 2V battery is connected across the points A and B as shown in the figure given below. Assuming that the resistance of each diode is zero in forward bias and infinity in reverse bias, the current supplied by the battery when its positive terminal is connected to A is
(a) 0.2 A
(b) 0.4 A
(c) Zero
(d) 0.1 A
एक 2V बैटरी A और B से जुड़ी हुई है जैसा कि नीचे दिए गए चित्र में दिखाया गया है। यह मानते हुए कि प्रत्येक डायोड का प्रतिरोध अग्र अभिनत में शून्य है और उत्क्रम अभिनत में अनन्त है, बैटरी द्वारा की जाने वाली धारा की आपूर्ति जब इसका धनात्मक टर्मिनल A से जुड़ा होता है, है:
(a) 0.2 A
(b) 0.4 A
(c) शून्य
(d) 0.1 A
Which one of the following statements is not correct
(a) A diode does not obey Ohm's law
(b) A PN junction diode symbol shows an arrow identifying the direction of current (forward) flow
(c) An ideal diode is an open switch
(d) An ideal diode is an ideal one way conductor
निम्नलिखित में से कौन सा कथन सही नहीं है?
(a) डायोड ओम के नियम का पालन नहीं करता है।
(b) PN संन्धि डायोड प्रतीक एक तीर को दर्शाता है, जो धारा (अग्र) प्रवाह की दिशा को दर्शाता है।
(b) आदर्श डायोड एक खुला स्विच होता है।
(d) एक आदर्श डायोड, एक आदर्श एकदिशीय चालक है।
The barrier potential of a p-n junction depends on
(i)type of semiconductor material
(ii)amount of doping
(iii)temperature
Which one of the following is correct
1. (i) and (ii)only
2. (ii) only
3. (ii) and (iii)only
4. (i),(ii) and (iii)
p-n संधि का प्राचीर विभव निम्नलिखित पर निर्भर करता है:
(i) अर्धचालक पदार्थ के प्रकार
(ii) अपमिश्रण की मात्रा
(iii) तापमान
निम्नलिखित में से कौन-सा सत्य है?
1. केवल (i) और (ii)
2. केवल (ii)
3. केवल (ii) और (iii)
4. (i), (ii) और (iii)
Avalanche breakdown is due to
(a) Collision of minority charge carrier
(b) Increase in depletion layer thickness
(c) Decrease in depletion layer thickness
(d) None of these
ऐवलांश भंजन किसके कारण होता है?
(a) अल्पसंख्यक आवेश वाहक के संघट्ट के कारण
(b) अवक्षय परत की मोटाई में वृद्धि के कारण
(c) अवक्षय परत की मोटाई में कमी के कारण
(d) इनमें से कोई नहीं
Regarding a semiconductor which one of the following is wrong
(a) There are no free electrons at room temperature
(b) There are no free electrons at 0 K
(c) The number of free electrons increases with rise of temperature
(d) The charge carriers are electrons and holes
अर्धचालक के संबंध में निम्न में से कौन-सा एक कथन असत्य है?
(a) कक्ष तापमान पर कोई मुक्त इलेक्ट्रॉन नहीं होते हैं।
(b) 0K पर कोई मुक्त इलेक्ट्रॉन नहीं होते हैं।
(c) तापमान में वृद्धि के साथ मुक्त इलेक्ट्रॉनों की संख्या बढ़ती है।
(d) आवेश वाहक इलेक्ट्रॉन और कोटर होते हैं।
To obtain a P-type germanium semiconductor, it must be doped with
(1) Arsenic
(2) Antimony
(3) Indium
(4) Phosphorus
P-प्रकार जर्मेनियम अर्धचालक प्राप्त करने के लिए, इसे किसके साथ अपमिश्रित किया जाना चाहिए?
(1) आर्सेनिक
(2) ऐन्टिमनी
(3) इंडियम
(4) फॉस्फोरस
The electrical conductivity of a semiconductor
(1) Decreases with the rise in its temperature
(2) Increases with the rise in its temperature
(3) Does not change with the rise in its temperature
(4) First increases and then decreases with the rise in its temperature
किसी अर्धचालक की विद्युत चालकता:
(1) इसके तापमान में वृद्धि के साथ घटती है।
(2) इसके तापमान में वृद्धि के साथ बढ़ती है।
(3) इसके तापमान में वृद्धि के साथ परिवर्तित नहीं होती है।
(4) तापमान में वृद्धि के साथ पहले बढ़ती है और फिर घटती है।
The emitter-base junction of a transistor is …… biased while the collector-base junction is ……. biased
(a) Reverse, forward (b) Reverse, reverse
(c) Forward, forward (d) Forward, reverse
ट्रांजिस्टर की उत्सर्जक आधार संधि ……...अभिनत होती है, जबकि संग्राहक आधार संधि ……. अभिनत होती है।
(a) उत्क्रमित, अग्र (b) अग्र, उत्क्रमित
(c) अग्र, अग्र (d) अग्र, उत्क्रमित
Energy bands in solids are a consequence of
(1) Ohm’s Law
(2) Pauli’s exclusion principle
(3) Bohr’s theory
(4) Heisenberg’s uncertainty principle
ठोस पदार्थों में ऊर्जा बैंड किसका परिणाम है?
(1) ओम नियम
(2) पाउली अपवर्जन नियम
(3) बोर सिद्धान्त
(4) हाइजेनबर्ग अनिश्चितता सिद्धांत
What will be the input of A and B for the Boolean expression
(1) 0, 0
(2) 0, 1
(3) 1, 0
(4) 1, 1
बूलियन व्यंजक के लिए A और B का निवेशी क्या होगा?
1) 0, 0
(2) 0, 1
(3) 1, 0
(4) 1, 1