In forward bias, the width of potential barrier in a P-N junction diode 

(a) Increases

(b) Decreases

(c) Remains constant

(d) First increases then decreases

अग्र अभिनत में, P-N संधि डायोड में विभव प्राचीर की चौड़ाई

(a) बढ़ती है।

(b) घटती है।

(c) नियत रहती है।

(d) पहले बढ़ती है, फिर घटती है।

The intrinsic semiconductor becomes an insulator at

(1) $0°\mathrm{C}$

(2) $-100°\mathrm{C}$ 

(3)  300 K

(4) 0 K

नैज अर्धचालक किस ताप पर एक अचालक बन जाता है?

(1) $0°\mathrm{C}$               

(2) $-100°\mathrm{C}$ 

(3) 300 K              

(4) 0 K

The circuit is equivalent to

1. AND gate                              2. NAND gate

3. NOR gate                              4. OR gate 

परिपथ किसके समतुल्य है?

1. AND गेट                              2. NAND गेट

3. NOR गेट                              4. OR गेट

At ordinary temperatures, the electrical conductivity of semi conductors in  mho/meter is in the range 
(a)${10}^{-3}$ to ${10}^{-4}$             (b)${10}^6$ to ${10}^9$
(c) ${10}^{-6}$ to  ${10}^{-10}$          (d) ${10}^{-10}$ to ${10}^{-16}$

सामान्य ताप पर, अर्धचालकों की विद्युत चालकता mho/meter में किस परास में है?
(a)${10}^{-3}$ से ${10}^{-4}$              (b) ${10}^6$ से ${10}^9$
(c) ${10}^{-6}$ से ${10}^{-10}$            (d) ${10}^{-10}$ से ${10}^{-16}$

The correct symbol for zener diode is 

जेनर डायोड के लिए सही प्रतीक कौन-सा है?

Silicon is a semiconductor. If a small amount of As is added to it, then its electrical conductivity 

(1) Decreases

(2) Increases

(3) Remains unchanged

(4) Becomes zero

सिलिकॉन एक अर्धचालक है। यदि इसमें As की थोड़ी मात्रा मिलाई जाती है, तब इसकी विद्युत चालकता:

(1) घटती है।

(2) बढ़ती है।

(3) अपरिवर्तित रहती है।

(4) शून्य हो जाती है।

The reverse biasing in a PN junction diode

1. Decreases the potential barrier

2. Increases the potential barrier

3. Increases the number of minority charge carriers

4. Increases the number of majority charge carriers

PN संधि डायोड में उत्क्रमित अभिनत:

1. विभव प्राचीर को घटाता है।

2. विभव प्राचीर को बढ़ाता है।

3. अल्पसंख्यक आवेश वाहकों की संख्या बढ़ाता है।

4. बहुसंख्यक आवेश वाहकों की संख्या बढ़ाता है।

Which of the following gates will have an output of 1

1. 

2. 

3. 

4. 

निम्नलिखित में से किस गेट का निर्गत 1 होगा?

1. 

2. 

3. 

4. 

Which of the following has negative temperature coefficient of resistance 
(a) Copper               (b) Aluminium
(c) Iron                   (d) Germanium

निम्नलिखित में से किसमें प्रतिरोध का ऋणात्मक ताप गुणांक है?

(a) कॉपर          (b) एल्युमिनियम

(c) आयरन         (d) जर्मेनियम

The energy gap of silicon is 1.14 eV. The maximum wavelength at which silicon will begin absorbing energy is

(a) 10888 Å                    (b) 1088.8 Å
(c) 108.88 Å                   (d) 10.888 Å

सिलिकॉन का ऊर्जा अंतराल 1.14 eV है। अधिकतम तरंगदैर्ध्य जिस पर सिलिकॉन ऊर्जा को अवशोषित करना शुरू कर देगा, है:

(a) 10888 Å                    (b) 1088.8 Å
(c) 108.88 Å                   (d) 10.888 Å