Which represents NAND gate

1. 

2. 

3. 

4. 

कौन-सा NAND गेट को दर्शाता है?

1. 

2. 

3. 

4. 

For a transistor, the current amplification factor is 0.8 when it is connected in the common base configuration. The transistor is now connected in common emitter configuration. The change in the collector current when the base current changes by 6 mA, is :
(a) 6 mA                       (b) 4.8 mA
(c) 24 mA                     (d) 8 mA

ट्रांजिस्टर के लिए, जब इसे उभयनिष्ठ आधार विन्यास में जोड़ा जाता है, तब धारा प्रवर्धन गुणांक 0.8 है। अब ट्रांजिस्टर को उभयनिष्ठ उत्सर्जक विन्यास में जोड़ा जाता है। जब आधार धारा को 6 mA से परिवर्तित किया जाता है, तब संग्राहक धारा में परिवर्तन की गणना कीजिए:

(a) 6 mA               (b) 4.8 mA
(c) 24 mA              (d) 8 mA

When NPN transistor is used as an amplifier

(a) Electrons move from base to collector

(b) Holes move from emitter to base

(c) Electrons move from collector to base

(d) Holes move from base to emitter

जब NPN ट्रांजिस्टर का उपयोग प्रवर्धक के रूप में किया जाता है, तब: 

(a) इलेक्ट्रॉन आधार से संग्राहक की ओर बढ़ते हैं।

(b) कोटर उत्सर्जक से आधार की ओर बढ़ते हैं।

(c) इलेक्ट्रॉन संग्राहक से आधार की ओर बढ़ते हैं।

(d) कोटर आधार से उत्सर्जक की ओर बढ़ते हैं।

In a crystal, the atoms are located at the position of

(1) Maximum potential energy

(2) Minimum potential energy

(3) Zero potential energy

(4) Infinite potential energy

क्रिस्टल में, परमाणु किस स्थिति पर स्थित होते हैं?

(1) अधिकतम स्थितिज ऊर्जा

(2) न्यूनतम स्थितिज ऊर्जा

(3) शून्य स्थितिज ऊर्जा

(4) अनंत स्थितिज ऊर्जा

The most commonly used material for making transistor is

(a) Copper                 (b) Silicon
(c) Ebonite                 (d) Silver

ट्रांजिस्टर निर्माण के लिए सबसे अधिक उपयोग किए जाने वाला पदार्थ कौन-सा है?

(a) कॉपर                              (b) सिलिकॉन
(c) ऐबोनाइट                           (d) सिल्वर

Donor type impurity is found in 
(a) Trivalent elements       (b) Pentavalent elements
(c) In both the above        (d) None of these

दाता प्रकार के अपद्रव्य में पाया जाता है:

(a) त्रिसंयोजक तत्व

(b) पंचसंयोजक तत्व

(c) उपरोक्त दोनों में

(d) इनमें से कोई नहीं

In P-type semiconductor, the majority and minority charge carriers are respectively

(1) Protons and electrons

(2) Electrons and protons

(3) Electrons and holes

(4) Holes and electrons

P-प्रकार अर्धचालक में ,बहुसंख्यक और अल्पसंख्यक आवेश वाहक क्रमशः हैं

(1) प्रोटॉन और इलेक्ट्रॉन

(2) इलेक्ट्रॉन और प्रोटॉन

(3) इलेक्ट्रॉन और कोटर

(4) कोटर और इलेक्ट्रॉन

In semiconductors at a room temperature 

(a) The valence band is partially empty and the conduction band is partially filled

(b) The valence band is completely filled and the conduction band is partially filled

(c) The valence band is completely filled

(d) The conduction band is completely empty

एक कमरे के तापमान पर अर्धचालकों में

(a)  संयोजी बैंड आंशिक रूप से खाली है और चालन बैंड आंशिक रूप से भरा हुआ है

(b) संयोजी बैंड पूरी तरह से भरा हुआ है और चालन बैंड आंशिक रूप से भरा हुआ है

(c) संयोजी बैंड पूरी तरह से भरा हुआ है

(d) चालन बैंड पूरी तरह से खाली है

The temperature coefficient of resistance of a semiconductor

(1) Is always positive

(2) Is always negative

(3) Is zero

(4) Maybe positive or negative or zero

एक अर्धचालक के प्रतिरोध का ताप गुणांक

(a) सदैव धनात्मक है

(b) हमेशा ऋणात्मक होता है

(c) शून्य है

(d) धनात्मक या ऋणात्मक या शून्य हो सकता है

For germanium crystal, the forbidden energy gap in joules is

(a) $1.12\times {10}^{-19}$         (b) $1.76\times {10}^{-19}$
(c)  $1.6\times {10}^{-19}$          (d) Zero

जर्मेनियम क्रिस्टल के लिए, जूल में वर्जित ऊर्जा अंतराल है:

(a) $1.12\times {10}^{-19}$     (b) $1.76\times {10}^{-19}$

(c)  $1.6\times {10}^{-19}$      (d) शून्य