The given circuit has two ideal diodes connected as shown in the figure below. The current flowing through the resistance $R_1$ will be

   

(a) 2.5 A                     (b) 10.0 A

(c) 1.43 A                   (d) 3. 13 A

दिए गए परिपथ में दो आदर्श डायोड को आरेख में दर्शाए गए अनुसार जोड़ा गया है। प्रतिरोध $R_1$ में प्रवाहित होने वाली धारा कितनी होगी?

   

(a) 2.5 A             (b) 10.0 A

(c) 1.43 A           (d) 3.13 A

The diode used in the circuit shown in the figure has a constant voltage drop of 0.5 V at all currents and a maximum power rating of 100 milliwatts. What should be the value of the resistor R, connected in series with the diode for obtaining maximum current 

(a) 1.5 $\mathrm{\Omega }$ 
(b) 5 $\mathrm{\Omega }$
(c) 6.67 $\mathrm{\Omega }$
(d) 200 $\mathrm{\Omega }$

चित्र में दर्शाए गए परिपथ में उपयोग किए गए डायोड में सभी धाराओं पर 0.5 V का नियत विभव पतन है और 100 मिलीवाट की अधिकतम शक्ति अनुमतांक है। अधिकतम विद्युत धारा प्राप्त करने के लिए डायोड के साथ श्रेणी में जुड़े प्रतिरोधक R का मान क्या होना चाहिए?

(a) 1.5 $\mathrm{\Omega }$ 
(b) 5 $\mathrm{\Omega }$
(c) 6.67 $\mathrm{\Omega }$
(d) 200 $\mathrm{\Omega }$

A sinusoidal voltage of peak value 200 volt is connected to a diode and resistor R in the circuit shown so that half wave rectification occurs. If the forward resistance of the diode is negligible compared to R the rms voltage (in volt) across R is approximately

(a) 200                            (b) 100
(c) $\frac{200}{\sqrt{2}}$                          (d) 280

दर्शाए गए परिपथ में 200 वोल्ट शिखर मान की एक ज्यावक्रीय वोल्टता एक डायोड और प्रतिरोध R से इस प्रकार जोड़ी जाती है कि अर्द्ध तरंग दिष्टीकरण घटित होता है। यदि R की तुलना में डायोड का अग्र प्रतिरोध नगण्य है तो rms वोल्टता (वोल्ट में) लगभग है:

(a) 200         (b) 100
(c) $\frac{200}{\sqrt{2}}$       (d) 280

In a P-type semiconductor

(a) Current is mainly carried by holes

(b) Current is mainly carried by electrons

(c) The material is always positively charged

(d) Doping is done by pentavalent material

एक P-प्रकार के अर्द्धचालक में

(a) धारा मुख्य रूप से कोटरों द्वारा प्रवाहित होती है

(b) धारा मुख्य रूप से इलेक्ट्रॉनों द्वारा प्रवाहित होती है

(c) पदार्थ हमेशा धनात्मक रूप से आवेशित होता है

(d) पंचसंयोजक पदार्थ द्वारा अपमिश्रण किया जाता है

In case of a semiconductor, which of the following statement is wrong 

(1) Doping increases conductivity

(2) Temperature coefficient of resistance is negative

(3) Resisitivity is in between that of a conductor and insulator

(4) At absolute zero temperature, it behaves like a conductor

अर्द्ध चालक की स्थिति में, निम्नलिखित में से कौन सा कथन गलत है?

(a) अपमिश्रण चालकता को बढ़ाता है

(b) प्रतिरोध का तापमान गुणांक ऋणात्मक है

(c) प्रतिरोधकता एक चालक और अचालक के बीच में होती है

(d) पूर्ण शून्य तापमान पर, यह एक चालक की तरह व्यवहार करता है

The difference in the variation of resistance with temperature in a metal and a semiconductor arises essentially due to the difference in the 

(a) Variation of scattering mechanism with temperature

(b) Crystal structure

(c) Variation of the number of charge carriers with temperature

(d) Type of bond

एक धातु और एक अर्द्धचालक में तापमान के साथ प्रतिरोध के परिवर्तन में अंतर अनिवार्य रूप से किसके अंतर के कारण उत्पन्न होता है:

(a) तापमान के साथ प्रकीर्णन प्रक्रिया का परिवर्तन 

(b) क्रिस्टल संरचना

(c) तापमान के साथ आवेश वाहकों की संख्या में परिवर्तन 

(d) बंध का प्रकार

In a transistor circuit shown here the base current is 35 $\mu$A. The value of the resistor Rb is

(a) 123.5 k$\mathrm{\Omega }$
(b) 257 k$\mathrm{\Omega }$
(c) 380.05 k$\mathrm{\Omega }$ 
(d) None of these

यहां दिखाए गए एक ट्रांजिस्टर परिपथ में आधार धारा 35 $\mu$A है. प्रतिरोधक Rb का मान है:

(a) 123.5 k$\mathrm{\Omega }$
(b) 257 k$\mathrm{\Omega }$
(c) 380.05 k$\mathrm{\Omega }$ 
(d) इनमें से कोई नहीं

In a transistor in CE configuration, the ratio of power gain to voltage gain is 
(a) $\mathrm{\alpha }$                                      (b) $\mathrm{\beta }/\mathrm{\alpha }$ 
(c) $\mathrm{\beta \alpha }$                                     (d) $\mathrm{\beta }$ 

CE विन्यास में एक ट्रांजिस्टर में, वोल्टेज लाभ से शक्ति लाभ का अनुपात है:\

(a) $\mathrm{\alpha }$                            (b) $\mathrm{\beta }/\mathrm{\alpha }$ 
(c) $\mathrm{\beta \alpha }$                           (d) $\mathrm{\beta }$ 

In a common emitter transistor amplifier, the audio signal vlotage across the collector is 3V. The resistance of collector is 3k$\Omega$. If current gain is 100 and the base resistance is 2k$\Omega$, the voltage and power gain of the amplifier is 

(1) 200 and 1000

(2) 15 and 200

(3) 150 and 15000

(4) 20 and 2000

उभयनिष्ठ उत्सर्जक ट्रांजिस्टर प्रवर्धक में, संग्राहक पर वोल्टेज 3V है। संग्राहक का प्रतिरोध 3k$\Omega$ है। यदि धारा लाभ 100 है और आधार प्रतिरोध 2k$\Omega$ है, प्रवर्धक का वोल्टेज और शक्ति लाभ ज्ञात कीजिए।

(a) 200 और 1000

(b) 15 और 200

(c) 150 और 15000

(d) 20 और 2000

In forward biasing of the p-n junction 

(a) the positive terminal of the battery is connected to n-side and the depletion region becomes thin

(b) the positive terminal of the battery is connected to n-side and the depletion region becomes thick

(c) the positive terminal of the battery is connected to p-side and the depletion region becomes thin

(d) the positive terminal of the battery is connected to p-side and the depletion region becomes thick

p-n संधि के अग्र अभिनत में 

(a) बैटरी के धनात्मक टर्मिनल को n-सिरे से जोड़ा जाता है और अवक्षय क्षेत्र पतला हो जाता है

(b) बैटरी के धनात्मक टर्मिनल को n-सिरे से जोड़ा जाता है और अवक्षय क्षेत्र मोटा हो जाता है

(c) बैटरी के धनात्मक टर्मिनल को p-सिरे से जोड़ा जाता है और अवक्षय क्षेत्र पतला हो जाता है

(d) बैटरी के धनात्मक टर्मिनल को p-सिरे से जोड़ा जाता है और अवक्षय क्षेत्र मोटा हो जाता है