A P-type semiconductor is formed when- 
A. As impurity is mixed in Si
B. Al impurity is mixed in Si
C. B impurity is mixed in Ge
D. P impurity is mixed in Ge

(1) A and C

(2) A and D

(3) B and C

(4) B and D

P-प्रकार अर्धचालक कब निर्मित होता है?

A. जब As अपद्रव्य को Si में मिलाया जाता है. 
B. जब Al अपद्रव्य को Si में मिलाया जाता है।
C. जब B अपद्रव्य को Ge में मिलाया जाता है।
D. जब P अपद्रव्य को Ge में मिलाया जाता है।

 

(1) A और C

(2) A और D

(3) B और C

(4) B और D

The energy band gap is maximum in

(a) Metals               (b) Superconductors
(c) Insulators          (d) Semiconductors

ऊर्जा बैंड अंतराल किसमें अधिकतम होता है?

(a) धातु               (b) अतिचालक
(c) अचालक          (d) अर्धचालक

A Ge specimen is doped with Al. The concentration of acceptor atoms is $~{10}^{21} \mathrm{atoms}/{\mathrm{m}}^3$. Given that the intrinsic concentration of electron hole pairs is $~{10}^{19}/{\mathrm{m}}^3$, the concentration of electrons in the specimen is 
(a) ${10}^{17}/{\mathrm{m}}^3$         (b) ${10}^{15}/{\mathrm{m}}^3$
(c) ${10}^4/{\mathrm{m}}^3$           (d) ${10}^2/{\mathrm{m}}^3$

 एक Ge नमूने को Al के साथ अपमिश्रित किया जाता है। ग्राही परमाणुओं की सांद्रता$~{10}^{21} \mathrm{atoms}/{\mathrm{m}}^3$ है। यह ज्ञात है कि इलेक्ट्रॉन कोटर युग्मों की आंतरिक सांद्रता$~{10}^{19}/{\mathrm{m}}^3$ है। नमूने में इलेक्ट्रॉनों की सांद्रता है:

(a) ${10}^{17}/{\mathrm{m}}^3$               (b)${10}^{15}/{\mathrm{m}}^3$
(c) ${10}^4/{\mathrm{m}}^3$                 (d)${10}^2/{\mathrm{m}}^3$

Which of the following statements is true for an N-type semi-conductor 

(a) The donor level lies closely below the bottom of the conduction band

(b) The donor level lies closely above the top of the valence band

(c) The donor level lies at the halfway mark of the forbidden energy gap

(d) None of above

निम्नलिखित में से कौन सा कथन N-प्रकार अर्धचालक के लिए सत्य है?

(a) दाता स्तर चालक बैंड के निचले हिस्से के नीचे स्थित होता है।

(b) दाता स्तर संयोजकता बैंड के शीर्ष के ऊपर स्थित होता है।

(c) दाता स्तर वर्जित ऊर्जा अंतराल के मध्य बिंदु पर स्थित होता है।

(d) उपरोक्त में से कोई नहीं

Different voltages are applied across a P-N junction and the currents are measured for each value. Which of the following graphs is obtained between voltage and current

1. 

2. 

3. 

4. 

P-N संधि पर भिन्न-भिन्न वोल्टेज लगाए जाते हैं और प्रत्येक मान के लिए धाराएं मापी जाती हैं। निम्नलिखित में से कौन सा ग्राफ वोल्टेज और धारा के बीच प्राप्त होता है:

The resistance of a germanium junction diode whose is shown in figure is $\left({\mathrm{V}}_{\mathrm{k}}=0.3\mathrm{V}\right)$

(a) 5 k$\mathrm{\Omega }$
(b) 0.2 k$\mathrm{\Omega }$
(c) 2.3 k$\mathrm{\Omega }$
(d) $\left(\frac{10}{2.3}\right)\mathrm{k\Omega }$

एक जर्मेनियम संधि डायोड का प्रतिरोध होगा जिसका आरेख दिखाया गया है $\left({\mathrm{V}}_{\mathrm{k}}=0.3\mathrm{V}\right)$

(a) 5 k$\mathrm{\Omega }$
(b) 0.2 k$\mathrm{\Omega }$
(c) 2.3 k$\mathrm{\Omega }$
(d) $\left(\frac{10}{2.3}\right)\mathrm{k\Omega }$

The device that can act as a complete electronic circuit is

1. Junction diode

2. Integrated circuit

3. Junction transistor

4. Zener diode

वह उपकरण जो पूर्ण इलेक्ट्रॉनिक परिपथ के रूप में कार्य कर सकता है, है:

1. संधि डायोड

2. एकीकृत परिपथ

3. संधि ट्रांजिस्टर

4. जेनर डायोड

The i-V characteristic of a P-N junction diode is shown below. The approximate dynamic resistance of the P-N junction when a forward bias of 2 volt is applied

(a) 1 $\mathrm{\Omega }$
(b) 0.25 $\mathrm{\Omega }$ 
(c) 0.5 $\mathrm{\Omega }$
(d) 5 $\mathrm{\Omega }$

P-N संधि डायोड का i-V वक्र नीचे प्रदर्शित किया गया है। जब 2 वोल्ट का एक अग्र अभिनत लागू किया जाता है, P-N संधि का सन्निकट गतिक प्रतिरोध है: 

(a) 1 $\mathrm{\Omega }$
(b) 0.25$\mathrm{\Omega }$ 
(c) 0.5 $\mathrm{\Omega }$
(d) 5 $\mathrm{\Omega }$

The variation of anode current in a triode corresponding to a change in grid potential at three different values of the plate potential is shown in the diagram. The mutual conductance of the triode is 

(a) 2.5 m mho      (b) 5.0 m mho
(c) 7.5 m mho      (d) 10.0 m mho

तीन अलग-अलग मान पर ग्रिड विभव में परिवर्तन के अनुरूप एक ट्रायोड में एनोड धारा के परिवर्तन को आरेख के रूप में दिखाया गया है। ट्रायोड का अन्योन्य चालकत्व है:

(a) 2.5 m mho     (b) 5.0 m mho
(c) 7.5 m mho     (d) 10.0 m mho

The energy band diagrams for three semiconductor samples of silicon are as shown. We can then assert that

(a) Sample X is undoped while samples Y and Z have been doped with a third group and a fifth group impurity respectively
(b) Sample X is undoped while both samples Y and Z have been doped with a fifth group impurity
(c) Sample X has been doped with equal amounts of third and fifth group impurities while samples Y and Z are undoped
(d) Sample X is undoped while samples Y and Z have been doped with a fifth group and a third group impurity respectively

सिलिकॉन के तीन अर्द्धचालक प्रतिदर्श के लिए ऊर्जा बैंड आरेख दिखाए गए हैं। हम कह सकते हैं कि:

(a) प्रतिदर्श X अपमिश्रित नहीं है जबकि नमूने Y और Z को क्रमशः तीसरे समूह और पांचवें समूह की अशुद्धता के साथ मिश्रित किया गया है।
(b) प्रतिदर्श X अपमिश्रित नहीं है जबकि Y और Z दोनों नमूनों को क्रमशः पांचवें समूह की अशुद्धता के साथ मिश्रित किया गया है
(c) प्रतिदर्श X को तीसरे और पांचवें समूह की अशुद्धियों की समान मात्रा में मिश्रित किया गया है जबकि नमूने Y और Z अपमिश्रित नहीं हैं
(d) प्रतिदर्श X अपमिश्रित नहीं है जबकि नमूने Y और Z को पांचवें समूह और तीसरे समूह की अशुद्धता के साथ बंद किया गया है