A logic gate is an electronic circuit which 

(1) Makes logic decisions

(2) Allows electrons flow only in one direction

(3) Works binary algebra

(4) Alternates between 0 and 1 values

लॉजिक गेट इलेक्ट्रॉनिक परिपथ है, जो:

(a) लॉजिक निर्णय लेता है।

(b) इलेक्ट्रॉनों को केवल एक दिशा में प्रवाहित करने की अनुमति देता है।

(c) बाइनरी बीजगणित पर कार्य करता है।

(d) 0 और 1 मानों के बीच एकांतर 

Which is the correct relation for the forbidden energy gap in the conductor, semiconductor, and insulator

(a) $∆{\mathrm{Eg}}_{\mathrm{c}}<∆{\mathrm{Eg}}_{\mathrm{insulator}}<∆{\mathrm{Eg}}_{sc}$
(b) $∆{\mathrm{Eg}}_{\mathrm{c}}<∆{\mathrm{Eg}}_{\mathrm{sc}}<∆{\mathrm{Eg}}_{\mathrm{insulator}}$
(c) $∆∆{\mathrm{Eg}}_{\mathrm{sc}}<∆{\mathrm{Eg}}_{\mathrm{insulator}}<{\mathrm{Eg}}_{\mathrm{c}}$
(d) $∆{\mathrm{Eg}}_{\mathrm{sc}}<∆Ec<∆{\mathrm{Eg}}_{\mathrm{insulator}}$

चालक, अर्धचालक और चालक में वर्जित ऊर्जा अंतराल के लिए सही संबंध कौन-सा है?

(a) $∆{\mathrm{Eg}}_{\mathrm{c}}<∆{\mathrm{Eg}}_{\text{ विद्युतरोधी}} <∆{\mathrm{Eg}}_{sc}$
(b) $∆{\mathrm{Eg}}_{\mathrm{c}}<∆{\mathrm{Eg}}_{\mathrm{sc}}<∆{\mathrm{Eg}}_{ \text{विद्युतरोधी} }$
(c) $∆∆{\mathrm{Eg}}_{\mathrm{sc}}<∆{\mathrm{Eg}}_{\text{ विद्युतरोधी }}<{\mathrm{Eg}}_{\mathrm{c}}$
(d) $∆{\mathrm{Eg}}_{\mathrm{sc}}<∆Ec<∆{\mathrm{Eg}}_{ \text{विद्युतरोधी}}$

In good conductors of electricity, the type of bonding that exists is 

(1) Ionic

(2) Vander Waals

(3) Covalent

(4) Metallic

विद्युत के अच्छे चालक में, किस प्रकार का सम्बन्ध उपस्थित होता है?

(1) आयनिक

(2) वान्डर वाल्स

(3) सहसंयोजक

(4) धात्विक

The Boolean equation of NOR gate is 

(1) C = A + B

(2) $\mathrm{C}=\overline{\mathrm{A}+\mathrm{B}}$ 

(3) $C=A·B$ 

(4) $\mathrm{C}=\overline{\mathrm{A}.\mathrm{B}}$

NOR गेट का बूलियन समीकरण ज्ञात कीजिए:

(1) C = A + B

(2) $\mathrm{C}=\overline{\mathrm{A}+\mathrm{B}}$ 

(3) $C=A·B$

(4) $\mathrm{C}=\overline{\mathrm{A}.\mathrm{B}}$

A transistor is used as an amplifier in CB mode with a load resistance of 5 k$\mathrm{\Omega }$. The current gain of the amplifier is 0.98 and the input resistance is 70 $\mathrm{\Omega }$, the voltage gain and power gain respectively are :
(a) 70, 68.6                          (b) 80, 75.6
(c) 60, 66.6                          (d) 90, 96.6

5 k$\Omega$ के प्रतिरोध के साथ एक ट्रांजिस्टर CB विन्यास में प्रवर्धक के रूप में उपयोग किया जाता है। प्रवर्धक का धारा लाभ 0.98 है और निवेशी प्रतिरोध 70$\mathrm{\Omega }$ है, वोल्टेज लाभ और शक्ति लाभ क्रमशः हैं:
(a) 70, 68.6                (b) 80, 75.6
(c) 60, 66.6                 (d) 90, 96.6

For a transistor, in a common emitter arrangement, the alternating current gain $\mathrm{\beta }$ is given by

(a) $\mathrm{\beta }={\left(\frac{∆{\mathrm{I}}_{\mathrm{c}}}{∆{\mathrm{I}}_{\mathrm{B}}}\right)}_{{\mathrm{V}}_{\mathrm{C}}}$                       (b) $\mathrm{\beta }={\left(\frac{∆{\mathrm{I}}_B}{∆{\mathrm{I}}_C}\right)}_{{\mathrm{V}}_{\mathrm{C}}}$

(c) $\mathrm{\beta }={\left(\frac{∆{\mathrm{I}}_{\mathrm{c}}}{∆{\mathrm{I}}_E}\right)}_{{\mathrm{V}}_{\mathrm{C}}}$                       (d) $\mathrm{\beta }={\left(\frac{∆{\mathrm{I}}_E}{∆{\mathrm{I}}_C}\right)}_{{\mathrm{V}}_{\mathrm{C}}}$

ट्रांजिस्टर के लिए, उभयनिष्ठ उत्सर्जक विन्यास में, प्रत्यावर्ती धारा लाभ $\mathrm{\beta }$ को किसके द्वारा दर्शाया जाता है?

(a) $\mathrm{\beta }={\left(\frac{∆{\mathrm{I}}_{\mathrm{c}}}{∆{\mathrm{I}}_{\mathrm{B}}}\right)}_{{\mathrm{V}}_{\mathrm{C}}}$             (b) $\mathrm{\beta }={\left(\frac{∆{\mathrm{I}}_B}{∆{\mathrm{I}}_C}\right)}_{{\mathrm{V}}_{\mathrm{C}}}$

(c) $\mathrm{\beta }={\left(\frac{∆{\mathrm{I}}_{\mathrm{c}}}{∆{\mathrm{I}}_E}\right)}_{{\mathrm{V}}_{\mathrm{C}}}$             (d) $\mathrm{\beta }={\left(\frac{∆{\mathrm{I}}_E}{∆{\mathrm{I}}_C}\right)}_{{\mathrm{V}}_{\mathrm{C}}}$

In the case of forward biasing of PN-junction, which one of the following figures correctly depicts the direction of flow of carriers

PN-संधि के अग्र अभिनत स्थिति में, निम्न में से कौन-सा एक आवेश वाहकों के प्रवाह की दिशा को उपयुक्त रूप से दर्शाता है?

The energy band gap of Si is

(1) 0.70 eV

(2) 1.1 eV

(3) Between 0.70 eV to 1.1 eV

(4) 5 eV

Si का ऊर्जा बैंड अंतराल ज्ञात कीजिए:

(1) 0.70 eV

(2) 1.1 eV

(3) 0.70 eV से 1.1 eV के मध्य

(4) 5 eV

When Ge crystals are doped with phosphorus atom, then it becomes 

(1) Insulator

(2) P-type

(3) N-type

(4) Superconductor

जब Ge क्रिस्टल् को फॉस्फोरस परमाणु से अपमिश्रित किया जाता है, तब यह बन जाता है:

(1) अचालक

(2) P-प्रकार

(3) N-प्रकार

(4) अतिचालक

A 2V battery is connected across the points A and B as shown in the figure given below. Assuming that the resistance of each diode is zero in forward bias and infinity in reverse bias, the current supplied by the battery when its positive terminal is connected to A is 

(a) 0.2 A
(b) 0.4 A
(c) Zero
(d) 0.1 A

एक 2V बैटरी A और B से जुड़ी हुई है जैसा कि नीचे दिए गए चित्र में दिखाया गया है। यह मानते हुए कि प्रत्येक डायोड का प्रतिरोध अग्र अभिनत में शून्य है और उत्क्रम अभिनत में अनन्त है, बैटरी द्वारा की जाने वाली धारा की आपूर्ति जब इसका धनात्मक टर्मिनल A से जुड़ा होता है, है:

(a) 0.2 A
(b) 0.4 A
(c) शून्य
(d) 0.1 A