The dominant mechanisms for motion of charge carriers in forward and reverse biased silicon P-N junctions are

(a) Drift in forward bias, diffusion in reverse bias

(b) Diffusion in forward bias, drift in reverse bias

(c) Diffusion in both forward and reverse bias

(d) Drift in both forward and reverse bias

अग्र और उत्क्रमित अभिनत सिलिकॉन P-N संधियों में आवेश वाहकों की गति के लिए प्रमुख तंत्र क्या हैं?

(a) अग्र अभिनत में अपवाह, उत्क्रमित अभिनत में विसरण

(b) अग्र अभिनत में विसरण, उत्क्रमित अभिनत में अपवाह

(c) अग्र और उत्क्रमित अभिनत दोनों में विसरण

(d) अग्र और उत्क्रमित अभिनत दोनों में अपवाह

If no external voltage is applied across P-N junction, there would be 

(a) No electric field across the junction

(b) An electric field pointing from N-type to P-type side across the junction

(c) An electric field pointing from P-type to N-type side across the junction

(d) A temporary electric field during formation of P-N junction that would subsequently disappear

यदि P-N संधि के मध्य कोई बाह्य विभव आरोपित नहीं किया जाता है, वहाँ होगा:

(a) संधि पर विद्युत क्षेत्र नहीं होगा 

(b) संधि के मध्य N-प्रकार से P-प्रकार सिरे की ओर इंगित विद्युत क्षेत्र

(c) संधि के मध्य P-प्रकार से N-प्रकार सिरे की ओर इंगित विद्युत क्षेत्र

(d) P-N संधि के निर्माण के दौरान अस्थायी विद्युत क्षेत्र, जो बाद में खत्म हो जाएगा।

The resistance of a reverse biased P-N junction diode is about 
(a) 1 ohm                        (b) ${10}^2$ohm
(c) ${10}^3$ ohm                     (d) ${10}^6$ ohm

उत्क्रम अभिनत P-N सन्धि डायोड का प्रतिरोध लगभग कितना होता है?
(a) 1 ओम              (b)${10}^2$ ओम
(c ) ${10}^3$ ओम          (d )${10}^6$ ओम

In a PNP transistor the base is the N-region. Its width relative to the P-region is 

(a) Smaller           (b) Larger
(c) Same              (d) Not related

PNP ट्रांजिस्टर में आधार N-क्षेत्र होता है। P-क्षेत्र के सापेक्ष इसकी चौड़ाई क्या होती है?

(a) छोटी               (b) बड़ी
(c) समान              (d) संबंधित नहीं है।

The electrical circuit used to get smooth output from a rectifier circuit is called 

1. Oscillator                         

2. Filter

3. Amplifier                           

4. Logic gates

दिष्टकारी परिपथ से निर्गत प्राप्त करने के लिए उपयोग किए जाने वाले विद्युत परिपथ को क्या कहा जाता है?

(a) दोलित्र                (b) फिल्टर

(c) प्रवर्धक                (d) लॉजिक गेट 

When the P end of P-N junction is connected to the negative terminal of the battery and the N end to the positive terminal of the battery, then the P-N junction behaves like 

(a) A conductor                       (b) An insulator
(c) A super-conductor              (d) A semi-conductor

जब P-N संधि के P सिरे को बैटरी के ऋणात्मक सिरे से जोड़ा जाता है और N सिरे को बैटरी के धनात्मक सिरे से जोड़ा जाता है, तब P-N संधि किसकी भाँति व्यवहार करता है?

(a) चालक                (b) अचालक
(c) अतिचालक           (d) अर्धचालक

In a junction diode, the holes are due to

(a) Protons                               (b) Neutrons
(c) Extra electrons                     (d) Missing of electrons

संधि डायोड में, कोटर किसके कारण होते है?

(a)  प्रोटॉन                        (b) न्यूट्रॉन
(c) अतिरिक्त इलेक्ट्रॉन          (d) इलेक्ट्रॉनों की कमी

In forward bias, the width of potential barrier in a P-N junction diode 

(a) Increases

(b) Decreases

(c) Remains constant

(d) First increases then decreases

अग्र अभिनत में, P-N संधि डायोड में विभव प्राचीर की चौड़ाई

(a) बढ़ती है।

(b) घटती है।

(c) नियत रहती है।

(d) पहले बढ़ती है, फिर घटती है।

The intrinsic semiconductor becomes an insulator at

(1) $0°\mathrm{C}$

(2) $-100°\mathrm{C}$ 

(3)  300 K

(4) 0 K

नैज अर्धचालक किस ताप पर एक अचालक बन जाता है?

(1) $0°\mathrm{C}$               

(2) $-100°\mathrm{C}$ 

(3) 300 K              

(4) 0 K

The circuit is equivalent to

1. AND gate                              2. NAND gate

3. NOR gate                              4. OR gate 

परिपथ किसके समतुल्य है?

1. AND गेट                              2. NAND गेट

3. NOR गेट                              4. OR गेट