In NPN transistor the collector current is 10 mA. If 90% of electrons emitted reach the collector, then

(a) Emitter current will be 9 mA
(b) Emitter current will be 11.1 mA
(c) Base current will be 0.1 mA
(d) Base current will be 0.01 mA

NPN ट्रांजिस्टर में संग्राहक धारा 10 mA है। यदि उत्सर्जित 90% इलेक्ट्रॉन संग्राहक तक पहुंचते हैं, तो

(a) उत्सर्जक धारा 9 mA होगी
(b) उत्सर्जक धारा 11.1 mA होगी
(c) आधार धारा 0.1 mA होगी
(d) आधार धारा 0.01 mA होगी

If A and B are two inputs in AND gate, then AND gate has an output of 1 when the values of A and B are

(1) A = 0, B = 0

(2) A = 1, B = 1

(3) A = 1, B = 0 

(4) A = 0, B = 1

यदि A और B, AND गेट के दो निवेशी हैं, तो AND गेट का निर्गत 1 हो तो A और B के मान है:

(1) A = 0, B = 0

(2) A = 1, B = 1

(3) A = 1, B = 0 

(4) A = 0, B = 1

 In a P-type semiconductor, germanium is doped with

(a) Boron                     (b) Gallium
(c) Aluminium              (d) All of these

P-प्रकार के अर्धचालक में, जर्मेनियम किसके के साथ अपमिश्रित किया जाता है?

(a) बोरॉन                    (b) गैलियम
(c) एल्युमिनियम             (d) ये सभी

To a germanium sample, traces of gallium are added as an impurity. The resultant sample would behave like

(a) A conductor
(b) A P-type semiconductor
(c) An N-type semiconductor
(d) An insulator

जर्मेनियम नमूने में, गैलियम के अवशेष को अपद्रव्य के रूप में मिलाया जाता है। परिणामी नमूना किसकी तरह व्यवहार करेगा?

(a) एक चालक
(b) एक P-प्रकार अर्धचालक
(c) N-प्रकार अर्धचालक
(d) एक अचालक

If ${\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}$ and ${\mathrm{n}}_{\mathrm{h}}$ are the number of electrons and holes in a semiconductor heavily doped with phosphorus, then

(a) ${\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}$>> ${\mathrm{n}}_{\mathrm{h}}$                (b)  ${\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}$<< ${\mathrm{n}}_{\mathrm{h}}$  
(c) ${\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}$$\le$${\mathrm{n}}_{\mathrm{h}}$                  (d) ${\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}$ = ${\mathrm{n}}_{\mathrm{h}}$  

यदि ${\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}$ औऱ  ${\mathrm{n}}_{\mathrm{h}}$, भारी मात्रा में फॉस्फोरस से अपमिश्रित किए गए एक अर्धचालक में इलेक्ट्रॉनों और कोटरो की संख्या है, तब

(a) ${\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}$>> ${\mathrm{n}}_{\mathrm{h}}$                         (b) ${\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}$<< ${\mathrm{n}}_{\mathrm{h}}$  
(c) ${\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}$$\le$${\mathrm{n}}_{\mathrm{h}}$                           (d) ${\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}$ = ${\mathrm{n}}_{\mathrm{h}}$  

The process of adding impurities to the pure semiconductor is called 
(a) Drouping        (b) Drooping
(c) Doping           (d) None of these

शुद्ध अर्धचालक में अशुद्धियों को मिलाने की प्रक्रिया को कहा जाता है:
(a) ड्रूपिंग                           (b) ड्रोपिंग
(c) डोपिंग                           (d) इनमें से कोई नहीं

In the following common emitter configuration an NPN transistor with current gain $\mathrm{\beta }$ = 100 is used. The output voltage of the amplifier will be 

(a) 10 mV
(b) 0.1 V
(c) 1.0 V
(d) 10 V

निम्नलिखित उभयनिष्ठ उत्सर्जक विन्यास में धारा लाभ $\mathrm{\beta }$= 100 के साथ एक NPN ट्रांजिस्टर का उपयोग किया जाता है। प्रवर्धक का निर्गत वोल्टेज होगा:

(a) 10 mV

(b) 0.1 V

(c) 1.0 V

(d) 10 V

Which of the following energy band diagram shows the N-type semiconductor

1. 

2. 

3. 

4. 

निम्नलिखित में से कौन सा ऊर्जा बैंड आरेख N-प्रकार अर्धचालक को दर्शाता है:

The given circuit has two ideal diodes connected as shown in the figure below. The current flowing through the resistance $R_1$ will be

(a) 2.5 A                     (b) 10.0 A

(c) 1.43 A                   (d) 3. 13 A

दिए गए परिपथ में दो आदर्श डायोड को आरेख में दर्शाए गए अनुसार जोड़ा गया है। प्रतिरोध $R_1$ में प्रवाहित होने वाली धारा कितनी होगी?

(a) 2.5 A             (b) 10.0 A

(c) 1.43 A           (d) 3.13 A

The diode used in the circuit shown in the figure has a constant voltage drop of 0.5 V at all currents and a maximum power rating of 100 milliwatts. What should be the value of the resistor R, connected in series with the diode for obtaining maximum current 

(a) 1.5 $\mathrm{\Omega }$ 
(b) 5 $\mathrm{\Omega }$
(c) 6.67 $\mathrm{\Omega }$
(d) 200 $\mathrm{\Omega }$

चित्र में दर्शाए गए परिपथ में उपयोग किए गए डायोड में सभी धाराओं पर 0.5 V का नियत विभव पतन है और 100 मिलीवाट की अधिकतम शक्ति अनुमतांक है। अधिकतम विद्युत धारा प्राप्त करने के लिए डायोड के साथ श्रेणी में जुड़े प्रतिरोधक R का मान क्या होना चाहिए?

(a) 1.5 $\mathrm{\Omega }$ 
(b) 5 $\mathrm{\Omega }$
(c) 6.67 $\mathrm{\Omega }$
(d) 200 $\mathrm{\Omega }$